ترک یابی غیر مخرب فلزات بر پایه حسگر امپدانس مغناطیسی بزرگ
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی
- نویسنده ملیحه رنجبران
- استاد راهنما محمدمهدی طهرانچی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1389
چکیده
چکیده ندارد.
منابع مشابه
ساخت حسگر میدان مغناطیسی بر مبنای امپدانس مغناطیسی بزرگ با استفاده از نوارهای نانوساختار آلیاژی پایه آهن
چکیده ندارد.
15 صفحه اولبررسی وابستگی دمایی امپدانس مغناطیسی بزرگ در نوار و سیم های مغناطیسی کبالت پایه
چکیده ندارد.
15 صفحه اولاثر بازپخت جریانی بر امپدانس مغناطیسی بزرگ نوارهای آمورف کبالت پایه
بیشینه ی تغییر امپدانس الکتریکی یک ماده ی فرومغناطیسی نرم با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی بر آن را امپدانس مغناطیسی بزرگ 1 gmiمی گویند . روی این اثر به لحاظ تئوری و تجربی کارهای زیادی انجام شده است . از جمله موادی که روی آنها اثر gmi انجام شده است ، نوارها و سیم های آلیاژی ، چند لایه ای ها ، فیلم ها ، میکرو سیم ها ، میکرو تیوب ها ، ترکیب هایی به صورت آمورف و نانوبلوری انجام شد که هر کدام از آن...
15 صفحه اولطراحی و ساخت حسگر میدان مغناطیسی بر پایه فیبرنوری نازک شده با استفاده از نانو فروسیال
در این تحقیق حسگر میدان مغناطیسی بصورت مقرون به صرفه و با حساسیت بالا بر پایه فیبرنوری نازک شده با استفاده از سیال مغناطیسی طراحی شده است. نانوفروسیال توسط آنالیزهای پراش اشعه‌ی ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخصه‌یابی شد. حسگرمیدان مغناطیسی با قرار دادن فروسیال حول فیبرهای نوری با طول یکسان وقطر‌های مختلف تهیه شدند. اثر قطر فیبر نوری بر خواص حسگر بصورت تجربی مورد بررسی قرار گرفت. فیبر نوری ...
متن کاملکیفیتسنجی غیر مخرب انگور رقم عسگری بر پایه طیفسنجی فروسرخ نزدیک
برای اندازهگیری ویژگیهای کیفی میوهها و سبزیها از روشهای مخرب و غیر مخرب متعددی استفاده میشود. روشهای مخرب عمدتاً هزینهبر و وقتگیر هستند. در این پژوهش، برخی ویژگیهای کیفی میوۀ انگور رقم عسگری شامل مواد جامد حلشدنی (SSC)، اسید قابل تیترکردن (TA)، pH، و فنل کل (TP) با طیفسنجی فروسرخ نزدیک (NIRS) اندازهگیری شدند. بدین منظور از 110 نمونه در دامنۀ طیفی 1700-900 نانومتر طیفسنجی شد و بلافا...
متن کاملبهینه سازی امپدانس مغناطیسی نوارهای مغناطیسی جهت استفاده در ساخت حسگر امپدانس با المان حسگری نانوساختار
حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi امروزه قابلیت خود را در عرصه های گوناگون فناوری نشان داده است. مناسب ترین مواد برای کار در اثر امپدانس مغناطیسی و حسگرهای امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانوبلورین هستند. بهینه سازی ویژگی های مغناطیسی آلیاژهای آمورف جهت دستیابی به پاسخ امپدانسی و حساسیت میدان مناسب به روش های گوناگونی امکان پذیر است؛ در...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023